氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）器件采用pGaN架構(gòu)，具備常關(guān)型特征，與相應(yīng)的硅（Si）器件相比，具有低一個數(shù)量級的柵極電荷和輸出電荷，結(jié)合幾乎為零的反向恢復電荷，可以支持更簡單的拓撲結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。